[研究テーマ]
電子材料、結晶の成長に関する研究
[取得学位]
理学博士（東北大学）
半導体など光学用酸化物単結晶、ハライド系結晶の成長及び材料の持つ独自の特性を引き出す材料を開発。半導体エピタキシャル成長の応用ではシリコン単結晶の特性と化合物半導体の光特性を融合させた結晶を評価。環境測定用結晶材料やレーザー用結晶及びシリコン基板上に配列したオパールの成長にも着手。
＜最近の主な研究論文＞
- S.Nishimura, H. Nagayoshi and K.Terashima “Roles of Oxygen atoms in CaF2 crystals doped with Eu atom” Journal ofApplied Physiscs vol.104, Issue 5, p 053103, 2008.
- H. Nagayoshi, S.Nishimura, T. Takeuchi, M. Hirai and K. Terashima “GaN growth using gallium hydride generated by hydrogenation of liquid gallium” Journal of Crystal Growth, vol.275, Issues 1-2, pp e1007-e1010, 2005.
- S. Nishimura, S. Matsumoto and K. Terashima “GaN on Si substrates for LED and LD applications” Phisica status solidi© 1, No.2, pp238-241, 2004.
- S.Nishimura, H.Hanamoto, K.Terashima and S.Matsumoto “Growth of c-GaN on Si(100) substrates using BP as a buffer layer –selective epitaxial growth-” Materials Science & Engineering vol.B93 pp135-138, 2002.
- S.Nishimura, S. Matsumoto and K.Terashima “Growth of GaN on Si substrates - roles of BP thin layer-” Optical Materials vol.19, pp223-228, 2002.
水泳（素潜り）、温泉、山菜採り、家庭菜園
