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加保研究室の学生が電子情報通信学会の研究会で研究成果を発表しました


2023年10月19日・20日、山形大学 米沢キャンパスおよびオンラインでのハイブリッド開催された「電子情報通信学会 研究会発表」において、工学部 電気電子工学科 加保貴奈教授の研究室に在籍する、矢野綾乃さん(4年)と谷津田臣呂さん(4年)、工学部 情報工学科の松尾理己人さん(3年)が研究の成果を発表しました。

同研究会は、マイクロ波研究会、環境電磁工学研究会、エレクトロニクスシミュレーション研究会と電磁環境技術委員会によって実施され、学生らは、マイクロ波研究会で発表を行いました。
これらの研究成果は、国立研究開発法人新エネルギー・産業技術総合開発機構(NEDO)の「ポスト5G情報通信システム基盤強化研究開発事業」(JPNP20017)の結果によって得られたもので、発表内容は以下の通りです。


【発表者】工学部 電気電子工学科 4年 矢野綾乃
【講演名】GaNドハティ増幅器の5G NR TDD信号入力時の DPD補償量および変調帯域幅依存性の評価
講演論文詳細

【発表者】工学部 電気電子工学科 4年 谷津田臣呂
【共 著】工学部 情報工学科 3年 松尾理己人、他4名
【講演名】2入力GaN増幅器のアウトフェージング増幅器モードの高効率化の検討
講演論文詳細
矢野綾乃さんのコメント
第5世代移動通信システム(5G)は、各国で商用サービスが開始されています。4G/5Gの周波数帯域をカバーする基地局用高出力増幅器として、高出力・広帯域・高効率なGaNドハティ増幅器の実現を目指し、デジタル歪補償のパラメータの最適設定の検討をしました。本研究では、先行研究で課題となったTDD信号の先頭付近のシンボルを低減できる条件について実験評価を行いました。発表時の質疑応答でいただいたコメントを元に今後も研究を進めていきます。

谷津田臣呂さんのコメント
今回、研究に使用した2入力GaN増幅器は、並列に配置した2つのGaNトランジスタに、三菱電機独自の負荷変調回路を適用することで、広帯域として動作する周波数範囲1.4から4.8GHzを実現したものになります。また、当増幅器は周波数によってドハティ増幅器およびアウトフェージング増幅器として動作する特性が特徴があります。本研究ではドハティとアウトフェージングのそれぞれで測定を行い、各動作特性で高効率に動作する条件を研究しました。今後はAM-AMやAM-PM特性、変調信号のEVM特性なども評価を進めていきます。

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