2025年8月21日、本学の渡辺重佳特任教授・学事顧問が研究を進める、積層型GAA（Gate All Around）トランジスタを用いたGainセル型DRAMが日刊工業新聞に掲載されました。

同設計法は、積層型GAAトランジスタを用いて、AI用LSI（大規模集積回路）で最も重要なHBM（広帯域メモリ）の設計法を新たに提案したもので、GAAトランジスタを縦方向に1,000層積層した場合、従来と比較して10,000倍高速性能の高速性能を実現し、かつ製造コストを従来の約20分の1に低減できる可能性があることを示しています。

渡辺特任教授は、これまでにも積層型GAAトランジスタを用いたAI用LSIの基本構成である積和演算回路の設計法を発表し、多くのメディアに掲載されてきました。
今回の発表は、この発表で実現した高速演算結果を記憶するメモリに関するもので、現在、注目を集めるChatGPT等の大規模言語モデルを用いた生成AIを従来と比較して非常に高速で、低コストで実現できると期待されています。
本研究は、本学のAI研究開発センターでの研究成果の一環として実施しています。


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掲載記事
・CMOS工程で製造可能…湘南工科大が考案、低コスト・高速DRAMの構造（2025.08.22　YAHOO! JAPANニュース｜ニュースイッチ）
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渡辺重佳 特任教授